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GAFAM半導体開発に寄与 レゾナックが「米国初」後工程特化R&D開設(EE Times Japan)

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レゾナックは、2026年4月21日に米国シリコンバレーに後工程特化型のR&Dセンターを開設することを発表した。このセンターは、日米の半導体材料および装置メーカー12社によるコンソーシアム「US-JOINT」の一環として設立され、次世代半導体パッケージ分野の技術開発を目的としている。
新しいR&Dセンターには、クリーンルームや先端半導体パッケージングプロセス、評価・解析装置が整備されている。レゾナックの担当者によれば、米国初の後工程に特化した施設であるという。
シリコンバレーでは、GAFAMなどの大手テック企業が自社のAI半導体設計を進めており、これに伴いパッケージングの新しいアイデアやコンセプトが日々生まれている。これまで、米国内には後工程特化型のR&D施設が存在せず、検証作業はアジアの工場で行われていた。
新たに設立されるR&Dセンターにより、企業は検証のための輸出入コストや時間を削減できる見込みで、従来6カ月かかっていたコンセプト検証を最短1カ月に短縮することを目指している。

媒体: Yahoo!ニュース IT(カテゴリ) / 公開日: 2026-04-30 19:11:28

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(株)scratch ツケヤナギ · 2026-05-01 16:15:26
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